AO3402 与 BSS306N H6327 区别
| 型号 | AO3402 | BSS306N H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO3402 | A-BSS306N H6327 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 18 | - |
| 宽度 | - | 1.3mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 52mΩ@4A,10V | 44mΩ |
| 上升时间 | - | 2.3ns |
| Rds On(Max)@4.5V | 65mΩ | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Rds On(Max)@2.5V | 85mΩ | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 1.5nC |
| Qgd(nC) | 1.6 | - |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S |
| Td(on)(ns) | 3.5 | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | - |
| 连续漏极电流Id | 4A | 2.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 235 | - |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.9mm |
| 下降时间 | - | 1.4ns |
| 高度 | - | 1.10mm |
| Trr(ns) | 8.5 | - |
| Td(off)(ns) | 17.5 | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 500mW(1/2W) |
| Qrr(nC) | 2.6 | - |
| VGS(th) | 1.5 | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 8.3ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | BSS306 |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.4ns |
| Coss(pF) | 35 | - |
| Qg*(nC) | 4.7 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS306N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLML9301TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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